当晶体管用作开关时，它在哪个区域工作?_综合

晶体管在饱和区和截止区起开关的作用。发射极-基极结和集电极-基极结在截止区反向偏置。两个结在饱和区都是正向偏置的。

利用截止和饱和两种状态，晶体管可以用作开关。集电极和发射极构成开关端子，底座为开关手柄。换句话说，小的基极电流可以用来控制集电极和发射极之间的大得多的电流。

通过把小的输入电流变成大的输出电流，晶体管起到了放大器的作用。但同时它也扮演着开关的角色。当基极没有电流时，集电极和发射极之间很少或没有电流流动。所以基极电流开关整个晶体管。

最好的晶体管:以下是

# 1 NPN型 - 2 n3904。你可以在低侧开关电路中找到最常见的NPN晶体管。# 2 PNP型 - 2 n3906。对于高侧开关电路，需要PNP型BJT。# 3的力量 ——TIP120。n通道(逻辑电平) ——FQP30N06L。

IBM声称210 ghz SiGe晶体管是世界上最快的，领先竞争对手四年。ibm公司今天宣布开发了一种新型硅锗(SiGe)晶体管，它可以达到210 GHz的速度，同时只需要消耗1毫安的电流。

场效应晶体管

604 GHz

对于MOSFET晶体管，开关速度受到栅电容的限制。就像RC充放电循环一样。对于BJT来说，在高频下工作的速度受到另一种电容效应——米勒电容的限制。

使用辅助短路负载的mosfet高速开关操作。为了有效地缩短关断时间，提出了一套辅助开关和二极管与负载并联的方案。

PNP与NPN晶体管

大约3兆赫

2N2222是一种普通的NPN双极结晶体管(BJT)，用于一般用途的低功率放大或开关应用。2N2222被认为是一种非常常见的晶体管，并被用作NPN晶体管的范例。

我可以用BC547晶体管代替2N2222A晶体管吗?是的，你可以使用，用于开关，只要在数据表中查找Ic(集电极电流)和Vceo(集电极-发射极电压)。

Ft表示电流增益= 1的频率(即从增益到损耗的交叉点)。对于转换，你要把这个数除以3-5。所以一个100兆赫的晶体管可以在25兆赫左右切换。

用IGBT替换功率MOSFET是很容易的。IGBT有相同的引脚，它阻断相同的电压，所有你需要做的是考虑以下几个设计标准，以充分利用这个设备。mosfet和igbt的栅极驱动器本质上是相同的。

与IGBT相比，功率MOSFET具有更高的整流速度和在低电压下运行时的更高效率的优点。IGBT结合了MOSFET中简单的栅驱动特性和双极晶体管的高电流和低饱和电压能力。

MOSFET的额定电压约为600伏特，而IGBT的额定电压约为1400伏特。因此，在高电压下，电流变低，最终导致低开关损耗。

虽然IGBT的结构在拓扑上与“MOS”栅晶闸管(MOS栅晶闸管)的晶闸管相同，但晶闸管动作完全被抑制，并且在整个器件操作范围内只允许晶体管动作....绝缘栅双极型晶体管。

电网卡的象征
发明了	1959
IGBT原理图符号

不。IGBT不能反向传导电流(从发射极到集电极)，即使施加了正Vge，因为它具有双极型结构。然而，栅极没有控制这种反向电流流动;这仅仅是二极管的正向偏置允许的。

使用绝缘栅双极晶体管的主要优点是它的高电压能力，低导通电阻，易于驱动，相对快的开关速度和结合零栅驱动电流，使其成为中速，高电压应用的良好选择…

igbt被广泛用作逆变电路(直流到交流转换)的开关器件，用于驱动小到大的电机。用于逆变器应用的igbt用于家用电器，如空调和冰箱、工业电机和汽车主电机控制器，以提高其效率。